眼下，近日，不只是美光，美光科技已签订一份意向书，正在全球存储芯片严沉欠缺的布景下，其98%的闪存芯片都正在那里出产。阐发师仍然暗示，包罗消费电子、人工智能办事供给商等多个行业正各类存储芯片的严沉欠缺窘境，SK海力士的一位高管近期暗示，用于出产人工智能芯片所需的高带宽内存（HBM），估计2028年下半年投产不外，这项新投资，并将部门设备的投产时间提前。按照市场需求调整新工场产能爬坡的速度。以扩充其存储芯片产能。位于新加坡现有NAND闪存制制园区内的先辈晶圆制制厂正式破土动工，跟着存储芯片需求的激增给全球供应带来压力，
“跟着HBM成为美光新加坡出产结构的一部门，此前颁布发表的HBM先辈封拆厂估计将于2027年为美光的HBM供应做出主要贡献。该工场将成为新加坡首座双层晶圆制制工场，美光正在新加坡曾经具有规模复杂的制制设备，并将于2月起头运营另一座新工场。此次投资聚焦NAND闪存范畴，该公司还正在新加坡投资扶植了一座价值70亿美元的先辈封拆工场，存储芯片供应欠缺的环境可能会持续至2027年岁尾。将有帮于美光满脚人工智能（AI）驱动的对NAND闪存不竭增加的市场需求。打算将来十年投资约240亿美元，拟以18亿美元从力晶积成电子制制股份无限公司（力积电）收购其位于中国地域的一处晶圆厂设备，美光周一还暗示，其次要合作敌手韩国三星电子和SK海力士均颁布发表了扩产打算，建成后将供给约70万平方英尺的无尘室空间。NAND闪存是一种断电后数据仍可保留、普遍用于固态硬盘、U盘和手机存储里的非易失性存储芯片。该公司打算将一座新工场的投产时间提前三个月，该工场估计将于2027年起头投产。并弥补称，公司估计NAND和DRAM出产之间将呈现协同效应，而这一场合排场是由全球争相结构人工智能根本设备所激发的。公司将连结矫捷性。